信貸個人化推薦聯合新聞網 - 2025/02/26查看原文
成大晶研中心開幕 台灣半導體材料技術再突破
國立成功大學晶體研究中心今天在南科台達大樓開幕，也是目前國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，將讓台灣半導體 材料技術再突破。 在教育部主任秘書林柏樵、國科會自然科學及永續研究發展處長賴明治等人見證下，成大晶體研究中心今天開幕，同時展示最新SiC與氧化鎵晶體技術，未來將攜手全球產業夥伴加速技術轉移，推動SiC與氧化鎵（Ga₂O₃）材料在半導體、光學、雷
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